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西数明年底量产BiCS6闪存:162层堆栈、接口速度翻

作者 admin 来源 网络 浏览 发布时间 2022-01-08 19:01

2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主,再往下就是170层到200层的了,每家闪存厂商的方案都有所不同,西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存,堆栈层数提升到162,而且接口速度翻倍。

在闪存市场上,西数跟东芝是合作研发、生产的,BiCS技术其实主要是来自东芝,目前量产的主力是BiCS5,2019年2月份发布,堆栈层数112层,核心容量512Gbit,接口速度1.066Gbps。

BiCS6闪存是下一代产品,堆栈层数最终确定为162层,而非之前所说的170+层,核心容量也提升到了1Tbit,另外就是接口速度也将达到2.0Gbps,相比上代翻倍,不过距离三星最新的8代V-NAND闪存的2.4Gbps还有点距离。

根据西数的计划,BiCS6闪存将从明年初开始生产,但真正大规模量产要到2022年底了,现在的BiCS5闪存还要过渡至少一年。

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